化學氣相沉積(CVD)是半導體工業(yè)中應用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術，包括大范圍的絕緣材料，大多數(shù)金屬材料和金屬合金材料。從理論上來說，它是很簡單的：兩種或兩種以上的氣態(tài)原材料導入到一個反應室內(nèi)，然后他們相互之間發(fā)生化學反應，形成一種新的材料，沉積到晶片表面上。淀積氮化硅膜(Si3N4)就是一個很好的例子，它是由硅烷和氮反應形成的。

　　概述

　　然而，實際上， 反應室中的反應是很復雜的，有很多必須考慮的因素，沉積參數(shù)的變化范圍是很寬的：反應室內(nèi)的壓力、晶片的溫度、氣體的流動速率、氣體通過晶片的路程(如圖所示)、氣體的化學成份、一種氣體相對于另一種氣體的比率、反應的中間產(chǎn)品起的作用、以及是否需要其它反應室外的外部能量來源加速或誘發(fā)想得到的反應等。額外能量來源諸如等離子體能量，當然會產(chǎn)生一整套新變數(shù)，如離子與中性氣流的比率，離子能和晶片上的射頻偏壓等。

　　然后，考慮沉積薄膜中的變數(shù)：如在整個晶片內(nèi)厚度的均勻性和在圖形上的覆蓋特性(后者指跨圖形臺階的覆蓋)，薄膜的化學配比(化學成份和分布狀態(tài))，結晶晶向和缺陷密度等。當然，沉積速率也是一個重要的因素，因為它決定著反應室的產(chǎn)出量，高的沉積速率常常要和薄膜的高質量折中考慮。反應生成的膜不僅會沉積在晶片上，也會沉積在反應室的其他部件上，對反應室進行清洗的次數(shù)和徹底程度也是很重要的。

　　化學家和物理學家花了很多時間來考慮怎樣才能得到高質量的沉積薄膜。他們已得到的結論認為：在晶片表面的化學反應首先應是形成“成核點”，然后從這些“成核點”處生長得到薄膜，這樣淀積出來的薄膜質量較好。另一種結論認為，在反應室內(nèi)的某處形成反應的中間產(chǎn)物，這一中間產(chǎn)物滴落在晶片上后再從這一中間產(chǎn)物上淀積成薄膜，這種薄膜常常是一種劣質薄膜。

　　化學氣相沉積法是傳統(tǒng)的制備薄膜的技術，其原理是利用氣態(tài)的先驅反應物，通過原子、分子間化學反應，使得氣態(tài)前驅體中的某些成分分解，而在基體上形成薄膜�；瘜W氣相沉積包括常壓化學氣相沉積、等離子體輔助化學沉積、激光輔助化學沉積、金屬有機化合物沉積等。

　　相關爭論

　　對許多金屬和金屬合金一個有趣的爭論就是，他們是通過物理氣相沉積(PVD)還是通過化學氣相沉積(CVD)能得到最好的沉積效果。盡管CVD比PVD有更好的臺階覆蓋特性，但目前諸如銅的子晶層和鉭氮擴散層薄膜都是通過PVD來沉積的，因為現(xiàn)有的大量裝置都是基于PVD系統(tǒng)的，工程技術人員對PVD方法也有較高的熟練程度。一些人建議，既然臺階覆蓋特性越來越重要(尤其是在通孔邊墻覆蓋)，CVD方法將成為必不可少的技術。相似的爭論也存在于產(chǎn)生低k值介質材料方面：是使用CVD方法好還是采用旋涂工藝好?

　　在化學氣相沉積中，決定晶圓間薄膜均勻性的重要參數(shù)之一是晶圓間的氣體是如何流動的。上圖所示是Novellus概念下Three ALTUS系統(tǒng)中，一個晶圓及其基座上的SiH4集中度和鎢沉積率的典型路徑圖。

　　氣相法

　　是直接利用氣體，或者通過各種手段將物質轉變?yōu)闅怏w，使之在氣體狀態(tài)下發(fā)生物理變化或者化學反應，最后在冷卻過程中凝聚長大形成納米粒子的方法。用該法可制備純度高、顆粒分散性好、粒徑分布窄、粒徑小的納米陶瓷粉體。氣相法又可分為氣體中蒸發(fā)法、化學氣相反應法、濺射源法、流動油面上真空沉積法和金屬蒸汽合成法。

　　沉淀法

　　又分為直接沉淀法、共沉淀法和均勻沉淀法等，都是利用生成沉淀的液相反應來制取。共沉淀法可在制備過程中完成反應及摻雜過程，因此較多地應用于電子陶瓷的制備。BaTiO3是一種重要的電子陶瓷材料，具有高介電常數(shù)和優(yōu)異的鐵電和壓電性能。用TiCl4,H2O2和BaCl2以共沉淀法制備過氧化鈦前驅體，經(jīng)無水乙醇分散脫水，熱分解制備出顆粒直徑小于30 nm的BaTi03納米晶。